IGBT與MOS管的區別，IGBT與可控硅的區別，IGBT驅動電路設計

    IGBT和MOS管的區別： 　　IIGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT； 多的這個P層因內有載流子，有電導調製作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由於載流子存在，IGBT關斷是電流會拖尾，關斷速度會減低； MOS就是MOSFET的簡稱了； IGBT和MOS

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