IGBT知識

1．驅動電路的基本性能        IGBT器件的發射極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的靜態驅動功率接近於零。但是柵極和發射極之間構成了一個柵極電容CGs，因而在高頻率的交替導通和關斷時需要一定的動態驅動功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之內，對於大功率的絕緣柵功率器件，由於柵極電容CGs較大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要較大的動態驅動功率。 I

>>阅读原文<<