BJT與MOSFET與IGBT的區別

一.MOSFET與IGBT的區別 從結構上來講，以N型溝道爲例，IGBT與MOSFET的區別在於MOSFET 的襯底爲N型，IGBT的襯底爲P型；從原理上說IGBT相當於一格MOSFET與BIpolar的組合，通過背面P型層空穴降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流問題，從產品上來說，IGBT一般用在高壓功率產品上，從600V到幾千伏都有，MOSFET應用電路則從十幾伏到一千左右，結構如下

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