對米勒平臺震盪的認識

功率器件的開關過程是一個複雜的過程，無論是MOS還是IGBT，在使用中或多或少都會遇到震盪現象。有一篇論文對此做了一些研究，建議閱讀一下。MOSFET開關過程的研究及米勒平臺振盪的抑制.pdf 總結說來： ①在MOS開關過程中，如果柵極電阻較小，發生了柵極電壓震盪，多半是因爲MOS源極寄生電感太大導致。根據U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開通速度快，即di/dt大，如果L(寄生電感)

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