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【轉】MOS管應用概述(三):米勒振盪的應對
時間 2021-07-12
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MOS管
米勒振盪
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上一節講到,米勒振盪是因爲強的負反饋引起的開關振盪,導致二次導通,對於後級大功率半橋、全橋等H橋拓撲結構應用中,容易導致上下管子瞬間導通從而炸燬管子,這個是開關電源設計中最核心的一環,所以如何避免米勒振盪可以認爲是開關電源設計的核心關鍵。 A、減緩驅動強度 1、提高MOS管G極的輸入串聯電阻,一般該電阻阻值在1~100歐姆之間,具體值看MOS管的特性和工作頻率,阻值越大,開關速度越緩。 2、在MO
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