數字集成電路設計——MOS結構

一、MOS不同工作區間 1. Vgs=0 閾值電壓： 2. 電阻工作區 Vgs>VT 3. 飽和區 4. 溝長調製效應 —— Vds的影響 5. 速度飽和 —— 溝道非常短的情況 載流子的速度因爲散射效應（載流子之間的碰撞）趨於飽和 6. 亞閾值情況 當Vg < VT但Vg > 0的時候，也是有很少的電流的。出現強反型意味着有足夠載流子參與導電。 總結 手工分析模型： 二、MOS管的電阻 通過計算

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