模擬集成電路設計：MOS器件物理模型(1)

MOS器件是模擬集成電路設計的基礎，本推文簡單列舉一下基本知識點： 1、基本器件模型 以下模型是針對長溝器件 圖 1 MOS 器件結構 通過模型導出的器件Model通常是一個四端口網絡，這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對應PMOS器件襯底接電源（或最高電平）。襯底電壓不同會影響溝道電流。 圖 2 襯底的連接 溝道長度調製是在設計過程中是不可忽視的問題

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