集成電路基礎知識-器件-MOS結構&VI特性

以反相器爲例，+代表濃度較高，爲了使PMOS和NMOS的襯底反偏，將P阱接GND，將N阱接Vdd。  溝道夾斷：進入飽和區 ■當Vds更大時，靠近漏極的反型層開始出現夾斷。 思考題： ■當MOS管的柵源電壓Vgs低於閾值電壓時MOS管會完全關斷嗎? 不會完全夾斷，會工作在亞閾區，電阻斜坡式增加。 ■耗盡層和反型層的區別是什麼? 柵和襯底形成了電容，隨着Vg的增大，柵極上出現很多正電荷，從而使得P型

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