富士通鐵電FRAM 4M Bit MB85R4002A

富士通FRAM是一種融合了在斷電的狀況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不只不須要備用電池，並且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具備優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262,144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術製造。可以保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的存儲單元可用於1010個讀/寫操做，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操做數量相比，有了顯着改進。MB85R4002A使用與常規異步SRAM兼容的僞SRAM接口。

引腳封裝

特色
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB數據字節控制
•讀寫續航力：1010次/字節
•數據保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工做電源電壓：3.0 V至3.6 V
•低功耗運行：工做電源電流15 mA（典型值），待機電流50μA（典型值）
•工做環境溫度範圍：−40°C至+ 85°C
•封裝：48引腳塑料TSOP（FPT-48P-M48）
符合RoHS

非易失性存儲器FRAM，無需保持數據的電池，因此保持數據時不產生能耗。並且，寫入時間較通用EEPROM及閃存要短，具備寫入能耗低的優勢。富士通FRAM代理英尚微電子爲用戶提供應用解決方案等產品服務。