汽車導航系統應用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術創建。能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R2001中使用的存儲單元可用於1010次讀/寫操作，與Flash存儲器 和E2PROM支持的讀和寫操作數量相比，有了顯着改進。使用與常規異步SRAM兼容的僞SRAM接口。 引腳 富士通的 MB85R200

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