每秒54Mb速度傳輸數據的富士通FRAM

FRAM鐵電隨機存儲器是一種融合了在斷電的狀況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電存儲器。FRAM能保持數據，不只不須要備用電池，並且在寫入、讀寫耐久性和功耗性能方面具備至關優越性。

FRAM產品可分爲兩個系列。分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的「獨立存儲器」和FRAM內置的RFID用LSI以及驗證LSI等的「FRAM內置LSI」。

根據客戶要求開發和供應最大限度發揮應用優點及性能的FRAM內置定製LSI。

富士通開發出了可以以54Mbyte/秒的速度傳輸數據。在Quad SPI接口非易失性RAM市場裏最大容量的MB85RQ4ML 4Mbit FRAM。

速度傳輸數據對比

MB85RQ4ML是採用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術造成非易失性存儲單元的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置爲524,28個8字X 8位。採用四路串行外設接口（QSPI），可以使用四個雙向引腳（四路I / O）實現高帶寬，例如以54 MB/s的速度進行讀寫。

MB85RQ4ML可以保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。可以在沒有任何等待時間的狀況下以高帶寬寫入數據，而且很是適合網絡，遊戲，工業計算，相機，RAID控制器

MB85RQ4ML採用1.8V的獨立電源，Quad SPI接口，並以108MHz的動做頻率實現了54Mbyte/秒的數據傳輸。在富士通的傳統產品中，具備16bit輸入輸出引腳的44引腳的並行接口的4Mbit FRAM的最快，爲13Mbyte/秒，而本產品以較少的引腳實現了至關於4倍速度的數據讀寫。

由於具備高速動做及非易失性的特色，因此MB85RQ4ML成爲網絡、RAID控制器、工業計算領域的最佳選擇。