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非易失性MRAM讀寫操作
時間 2020-12-28
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高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數據保留能力和耐久性,適用於廣泛的應用。單元面積僅爲0.0456平方微米,讀取速度爲10ns,讀取功率爲0.8mA/MHz/b,在低功耗待機模式(LPSB)下,其在25C時的泄漏電流小於55mA,相當於每比特的漏電流僅爲1.7E-12A。對於32Mb數據,它具有100K個循環的耐久性,而對於1Mb的數據可以>1M個循環。它在260°C的IR迴流
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