非易失性MRAM讀寫操作

高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用於廣泛的應用。單元面積僅爲0.0456平方微米，讀取速度爲10ns，讀取功率爲0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小於55mA，相當於每比特的漏電流僅爲1.7E-12A。對於32Mb數據，它具有100K個循環的耐久性，而對於1Mb的數據可以>1M個循環。它在260°C的IR迴流

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