非易失性MRAM技術發展

切換(或場驅動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設備。然而切換MRAM的規模不足以取代大多數其他記憶。STT-MRAM產品將擴展到更高的密度，需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發運大部分MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。 主要的嵌入式半導體制造商爲工業和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存

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