非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術是以可沉積在標準邏輯製程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元爲基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個經過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可以使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。在MRAM存儲器中有一個富含創造性的設計，這也是EVERSPIN的專利。

在MRAM的誕生過程當中，設計的難點和關鍵節點，在於一個小電流經過「自由層」，並使之翻轉，與固定層的極化方向相反或者相同。可是MRAM操做窗口特別小，即便很小的電流擾動也會形成錯誤。爲此MARM的產品化道路一度陷入低迷。

在2004初一個俄裔的工程師公佈他提出的新的MRAM結構和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才從新燃起了對MRAM的但願。SONY 和 MOTORALA 立刻拿出了第一手的實驗數據. 實驗證實TOGGLE MRAM具備至關大的操做窗口。另外一個重大突破是2004年底IBM 和日本一家公司同時宣佈拿到了300%的MTJ信號。2004年在業界是很是激動人心的時刻，這一系列的突破暗示着MRAM的曙光就在眼前。

如今MRAM有不少優異的指標，可是並不是完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大範圍的替代其餘存儲器產品。可是根據摩爾定律，芯片尺寸會愈來愈小，這也是爲何不少人都認爲DRAM快走到了它生命週期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高於MRAM和DRAM。在將來的五年裏，它將是MRAM有力的競爭對手。