非易失性MRAM切換技術

下面介紹關於切換MRAM技術 切換MRAM使用1個晶體管，1個MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設計，可提供高可靠性。數據在溫度下20年始終是非易失性的。 在讀取期間，傳輸晶體管被激活，並且通過將單元的電阻與參考器件進行比較來讀取數據。在寫入期間，來自寫入線1和寫入線2的磁場會在兩條線的交點處寫入單元，但不會干擾任一條線上的其他單元。 MRAM產品採

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