MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優勢，同時在性能方面又超過了現有幾乎全部的存儲器，所以有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存同樣具備非易失性，即便切斷電源，信息也不會丟失，並且它和DRAM同樣可隨機存取。
 

 

表1存儲器的技術規格比較

 
在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不須要閃存所必需的擦除操做，並且寫人時間也比閃存少幾個數量級。即便是與現有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間爲30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數超過10¹⁵次,和DRAM及SRAM至關,大大超出了閃存的10⁵次。
 
在功能及性能方面均超過現有存儲器的自旋注入MRAM,頗有可能將會取代在設備中使用的多種存儲器(見圖1)。若是關鍵技術的研發工做進展順利，自旋注入MRAM從此的普及應用將大體分爲兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應用的嵌入式存儲器，其後在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。
 

 

圖1 65nm產品會取代嵌入式存儲器，45nm產品會取代獨立存儲器

 
目前各廠商已經基本掌握了用於實現第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,一般是將設備工做時使用的sram存儲器和用於存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。若是可以將自旋注入MRAM集成到MCU中，就能夠取代上述的SRAM及閃存。
 
MCU的用戶也對採用自旋注入MRAM表現出積極的態度。目前車載MCU中集成的閃存的可擦寫次數太少。但願可以採用讀/寫性能優於閃存的存儲器件。據說MRAM比閃存的可擦寫次數多，而且性能有所提升。若是這兩種存儲器的成本同樣，確定會選擇MRAM。當採用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。