常見嵌入式存儲器區別
FRAM E2PROM FLASH SRAM 記憶類型 非易失性 非易失性 非易失性 易失性 數據寫入方法 重寫 字節單元擦除+寫入 扇區單元擦除+寫入 重寫 數據寫入週期 150ns 10ms 10μs 55ns 讀寫耐久性 1012（1萬億次） 106(100萬次) 105(10萬次) 無限 電荷泵電路 不需要 需要 需要 不需要 轉自 EEWORLD
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