H橋，逆變器mos管，igbt燒壞緣由分析

一：mos管，igbt損壞的緣由有兩種，過流和過壓。 二：mos管過流 2.1：什麼是過流，即mos能過經過的額定電流，在mos管的芯片手冊上會有相關的參數說明，若是mos管的電流過大，會產生極高的熱量，以致於損壞芯片。安全 2.2：實際案例分析spa     上圖是一個逆變器的H橋逆變電路，經過spwm將直流電轉換爲正弦波交流電。方法 實際使用過程當中，無論是輕負載仍是重負載，T3，T6，T4，

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