分析LED日光燈電源發熱燒壞MOS管五大技術點分析

  　　1、芯片發熱 　　本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流爲2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗爲0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式爲I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c爲功率MOS管的cgs電容，v爲功率管導通時的gate電壓，所以爲了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f

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