西數開始生產首款512GB 64層3D NAND芯片

    日前，西部數據宣佈其新型512GB，64層3D NAND芯片在日本四日市制造廠已經開始試生產，該芯片硅晶圓採用了TLC閃存設計(可實現每單元3位的存儲量)。並且公司計劃在2017年下半年開始大批量生產。是不是有些似曾相識，我們倒回2016年7月，西數宣稱開始對採用其BiCS3技術的64層3D NAND進行試生產。那麼時至2017年，兩者之間有何不同? 2016年的芯片容量爲256GB，今年

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