VCSEL激光器、SBD肖特基二極管最新研究成果

成果一 基於Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，我司技術團隊深入探索了實現GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發現，橫向電流限制不是由埋入式絕緣體的電阻特性引起的，而潛在的原因在於埋層絕緣體可承擔電壓，因此會引起孔內和孔外之間的電勢差，進而會產生橫向能帶勢壘。爲了減小橫向勢壘高度，技術團隊建議使用具有介電常數較大、絕緣體厚度較薄的限制孔，以增加橫向電流的限制作用。他們發現增

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