肖特基二極管

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。 肖特基二極管具有開關頻率高、正向壓降低等優點，但肖特基二極管的反向擊穿電壓比較低，一般不會高於60V，最高僅約爲100V，以致於

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