Infineon:N-MOS 電源方案（2）
接上一篇博客討論了N-MOS方案，英飛凌也有推薦方案如下： 也是背靠背MOS驅動，區別是這裏是S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據需求選擇MOS，提高系統的帶載能力。 通過內部框圖可以看出它是boost升壓驅動提高Gate電壓。並且Gate與Source之前鉗位18V。 與上一篇不同之處，這裏第一個MOS做開關，第二個MOS做防反。用來過拋負載試驗的TVS管應該只能放在開關管前面，並且只能
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