Ti:N-MOS電源方案（1）

最近在看N-MOS電源輸入方案。發現TI有一個比較不錯的芯片ti:LM76202-Q1 雙MOS背靠背結構，採用charge pump 升壓實現N-MOS控制。 圖中第一個N-MOS作爲防反，第二個N-MOS做開關管。TVS放在電源輸入側。 這顆芯片集成了雙MOS算是優點也是缺點。節省了空間與價格，但電流只能做到2.2A。不能用於動力總成部分。不過它的結構倒是很有參考意義。可以考慮外置N-MOS，

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