STT結構渦輪增壓MRAM

新興MRAM市場的主要參與者之一已經開發了專有技術，該技術表示將通過增加保持力並同時降低電流來增強任何MRAM陣列的性能。 自旋轉移技術（STT）的進動自旋電流（PSC）結構，它有潛力提高MRAM的密度和零泄漏能力。該結構可以應用於移動，數據中心CPU和存儲，汽車，物聯網和（IoT）以及人工智能等領域。 PSC結構將使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。這意味着它不僅具有更高的數據保

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