什麼是STT-MRAM？

隨着有但願的非易失性存儲器架構的可用性不斷增長，以增長並潛在地替代傳統的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰正在出現。經過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）做爲嵌入式MRAM技術的領先趨勢來加強動力.
 
什麼是STT-MRAM？
 
嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不一樣，適合特定的應用，但STT-MRAM彷佛已成爲主流。
 
STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變化會產生可測量的電阻率變化。從概念上講，每一個單元由兩個磁體組成：一個是固定的，另外一個是能夠翻轉的。當磁體彼此平行時，電阻低。當第二個磁鐵反轉方向時，電阻很高。
 
因爲磁性隧道結（MTJ）器件可以經過僅三個額外的掩膜嵌入芯片的線路後端（BEOL）互連層，所以STT-MRAM技術享有低功耗和低成本的優點。在商業代工廠中，STT-MRAM的支持正在加速發展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺積電和聯電都已公開宣佈爲28nm / 22nm技術的SoC設計人員提供產品。

 
系統設計師正在將STT-MRAM技術用於低功耗MCU設計（例如IoT穿戴式設備），這些設計能夠從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM一般會爲這些早期採用者取代嵌入式閃存。對於自動駕駛雷達SoC，STT-MRAM的數據保留和密度是顯着的優點。在不久的未來，STT-MRAM將用於最終應用（例如超大規模計算，內存計算，人工智能和機器學習）中替代SRAM。