STT-MRAM技術改變現狀

到目前爲止，設計人員能夠使用的存儲技術是易變的，這意味着在斷電後，存儲器中的數據內容會丟失。可是，隨着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM，系統如今能夠擁有像DRAM這樣具備高性能的內存，但能夠提供持久的非易失性數據存儲。

圖1：STT-MRAM

STT-MRAM表明自旋轉移轉矩磁阻隨機存取存儲器。寫入STT-MRAM設備的任何數據原本就是持久的，不須要任何電池或超級電容器。經過寫入存儲陣列來捕獲數據，該存儲陣列可利用極化電流控制電子自旋。 STT-MRAM的性能相似於DRAM，但不須要刷新。當前可用的接口是ST-DDR3，它與標準JEDEC DDR3很是類似。未來還將提供ST-DDR4接口，從而帶來更高的速度和更大的容量。
STT-MRAM技術的一些優勢是：
•非易失性數據
•性能特徵相似於DRAM
記憶
•十億次以上的數據耐久性
•DDR3兼容封裝和將來的DDR4
兼容的腳印
•ST-DDR3接口和未來的ST-DDR4接口
•字節讀寫（無塊）

STT-MRAM是經過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ，由兩層不一樣厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是經過自旋電流實現信息寫入的