STT-MRAM高密度低能耗技術

STT-MRAM是經過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了帶磁性外殼的附加寫信息線，最大限度地減小了製備工藝程序，並使存儲單元的橫截面積減少、存儲密度高、存儲速度快，知足高性能計算機系統的設計要求。
 
研究人員建議用反鐵磁材料製造STT-MRAM器件-與目前使用的鐵磁材料相反。研究人員說這些材料將使高密度器件可以以低電流實現高速寫入。
 
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒有。這意味着用這些材料製成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味着您能夠將它們很是緊密地包裝在一塊兒。
 
研究人員還證實，電流可用於可逆地切換在重金屬底層上構圖的反鐵磁存儲位，而且重要的是，首次使用與現有半導體制造技術徹底兼容的材料來進行此操做。另外該工做實現了迄今爲止報道的用於切換反鐵磁材料的最低電流密度。

最後研究人員還代表，該設備能夠設計爲模擬（憶阻）元件，而不是雙穩態元件，這意味着它能夠在神經形態計算的突觸中找到應用。
 
STT-MRAM芯片具備重要的軍事應用，在抗惡劣環境高性能計算機、軍用衛星、導彈、火箭、航天飛行器控制和數據存儲系統中都須要具備超高密度、超大容量、超低能耗、隨機存儲、非易失性、結構簡單、抗輻照能力強等優勢的存儲器系統。