中芯國際第二代FinFET工藝有望與2020年底試產

媒體報道，第一代FinFET 14納米已於2019年四季度量產；第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段，可望於2020年底小批量試產。梁孟鬆披露，中芯國際的下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。2019年，14nm工藝首次貢獻了1%的營收，約768.9萬美元。如果N+1工藝能夠儘快落地，對於中芯國際而言，無疑是強心劑

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