存儲介質主要有半導體器件、磁性材料、光盤。編程
存儲元件由半導體器件組成的存儲器稱爲半導體存儲器。緩存
現代半導體存儲器都用超大規模集成電路工藝製成芯片。dom
半導體存儲器按其所使用材料的不一樣,又可分爲:spa
磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面塗一層磁性材料做爲記錄介質,工做時,磁層隨載磁體高速運轉,用磁頭在磁層上進行讀/寫操做。故稱爲磁表面存儲器。3d
按載磁體形狀的不一樣可分爲:blog
磁盤(將圓形的磁性盤片裝在一個密封盒子裏,就是硬盤了)。內存
磁帶(錄音機磁帶)原理
磁鼓(已淘汰)。程序
特色:非易失。im
磁芯是由硬磁材料作成的環狀元件,在磁芯中穿有驅動線和度讀出現。功耗太大,已被半導體存儲器取代。
光盤存儲器是應用激光在記錄介質(磁光材料)上進行讀寫的存儲器。
紀錄密度高、耐用性好、可靠性高,因此應用愈來愈普遍。
可讀可寫,任何一個存儲單元的內容均可以隨機存取,存儲時間、順序與存儲單元的物理地址無關。
計算機的內存(主存)通常都採用RAM。
根據存儲信息的原理不一樣,又可將其分爲靜態RAM和動態RAM。
靜態RAM(SRAM):以觸發器原理寄存信息。
動態RAN(DRAM):以電容充放電原理寄存信息。
能讀出其存儲的信息,不能對其從新寫入。
這種存儲器一旦寫入了原始信息以後,在程序執行過程當中,只能將內部信息讀出,而不能隨意從新寫入新的信息去改變原始信息。
在對存儲單元進行讀/寫操做時,需按其物理位置的前後順序尋找地址。
例如:磁帶。不論信息處在哪一個位置,讀寫時必須從其介質的起始位置開始查找。故這類串行訪問的存儲器又稱爲順序存取存儲器。
CPU從主存儲器讀取信息的過程:
首先CPU將該信息的地址送至MAR,經由地址總線送至主存,而後發出讀命令。
主存接到讀命令後,得知需將該地址單元的內容讀出,將該地址單元的內容讀取至數據總線上,傳送至MDR。(隨後MDR中的信息要做何處理由CPU決定,與主存無關)。
CPU向主存儲器寫入信息的過程
首先CPU將該信息要寫入的主存單元的地址經由MAR發送至地址總線,並將信息送入MDR。
而後向主存發出寫命令,主存接到寫命令後,便將數據總線上的信息寫入到地址總線指出的對應的主存單元中。
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