東芝、西數宣佈新BiCS 3D NAND閃存明年上市：64層堆棧

三星在3D NAND閃存上量產時間最早，產能也是最高的，領先其他公司至少三年時間，其V-NAND技術的3D NAND已經發展到第三代了，48層堆棧。東芝、西數此前宣佈四日市的新工廠竣工，並且早就開始生產3D NAND閃存了，現在雙方又公佈了其3D NAND閃存的最新進展——64層堆棧的BiCS 3D閃存已經開始出樣，比之前的48層堆棧更先進，預計2017年上半年正式量產。 對於3D NAND閃存，

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