東芝SanDisk宣佈使用超高密度閃存技術

         在近日國際固態電路大會（ISSCC）上，東芝和SanDisk公司聯合宣佈將開始使用一種超高密度NAND閃存技術。 這種技術稱爲SanDisk X4（4-bit-per-cell），每單元4位信息存儲技術。這種技術使用特殊的內存控制器，可以在保證速度的同時整合更高密度的閃存。在單芯片上，東芝和SanDisk可以整合最大8GB閃存，且仍能保持傳輸速度7.8MB/s不變。 通常單個閃存

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