MOS器件的重要特性——15個爲何？

MOS器件的重要特性——15個爲何？（一）   （1）爲何E-MOSFET的閾值電壓隨着半導體襯底摻雜濃度的提升而增大？而隨着溫度的升高而降低？性能 【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導體表面產生反型層（導電溝道）所須要加的柵極電壓。對於n溝道E-MOSFET，當柵電壓使得p型半導體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs≥2ψB時，便可認爲半導體表面強反型，由於這時反型層中的少數載流子（電子）濃度就等

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