AIN陶瓷封裝材料

SIP芯片堆疊後發熱量將增加，但散熱面積相對並未增加，因而發熱密度大幅提高，而且由於熱源的相互連接，熱耦合增強，從而造成更爲嚴重的熱問題。同時，內埋置基板中的無源器件也有一定的發熱問題。因此，SIP在封裝體積縮小、組裝密度增加的同時必然帶來散熱的問題，選擇散熱效果更好即熱導率更高的陶瓷材料是實現SIP的關鍵。 AIN陶瓷具有較高的熱導率，其膨脹係數與Si材料更匹配，且介電常數低，適用於高功率、多引

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