EVERSPIN非易失性存儲器具吸引力嵌入式技術

相關研究指出，若是以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省高達90%的功耗；若是採用單一晶體管MRAM取代六個晶體管SRAM，則可實現更高的位元密度和更小的芯片尺寸，這些功率與面積成本優點將使MRAM成爲邊緣側設備的有力競爭者。而相較於傳統的NAND閃存，PCRAM或ReRAM存儲級存儲器更可提供超過10倍以上的存取速度，更適合在雲端對資料進行存儲。

MRAM是一種非易失性存儲技術，從20世紀90年代開始發展。該技術具有接近靜態隨機存儲器的高速讀取寫入能力，快閃存儲器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠低於DRAM，並且能夠無限次地重複寫入。
 

EVERSPIN公司是 磁性隨機存儲器（MRAM） ）和 集成磁（Integrated Magnetic）產品的全球領導者。並透過持續提高技術與擴展MRAM產品組合來領導業界的發展。提供市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發性隨機存取存儲器，以協助客戶開發獨特且極具競爭力的產品。主要從事： 磁性隨機存儲器(MRAM)與傳感器的開發和製造工做.目標市場： 儲存、工業自動化、遊戲、能源管理、通信、消費、運輸、和航空電子

MRAM技術之因此受到業界追捧，緣由在於隨着業界持續向更小技術節點邁進，DRAM和NAND閃存(Flash)正面對着嚴苛的微縮挑戰，MRAM所以被視爲有望取代這些內存芯片的獨立內存組件。考慮到MRAM具有快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視爲極具吸引力的嵌入式技術，適用於取代物聯網(IoT)設備中的嵌入式閃存和3級高速緩存SRAM。
 
它不是用來替代閃存的，而是用來處理運算過程當中產生的數據。MRAM具備高速讀寫能力，同時也能永久地保存數據，因此它屬於RAM，又能兼顧非易失性。