《漲知識啦4-金屬半導體接觸系列》---鏡像力

根據上一講中肖特基結形成原理的介紹，我們可知金屬一側的勢壘高度由金屬與半導體材料決定，不隨外加偏壓的變化而變化。僅由熱電子發射理論，金屬中越過勢壘到達半導體中的電子數目取決於勢壘高度，隨着反向電壓升高，反向電流將趨於飽和，而在實際測試中發現，隨反向偏壓增大反向電流也在逐漸增大，並沒有理論預期的趨於飽和。 熱電子發射模型是一個高度理想的模型，無法真實準確的描述複雜的肖特基接觸結構，需要對該模型進行修

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