非易失性Flash詳解

Flash(快閃或閃存)由Intel公司於1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對於EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分爲Nor Flash和Nand Flash兩大類。
 
Nor Flash
Nor Flash的特色是芯片內執行(XIP )，應用程序能夠直接在內存Flash內運行，沒必要再把代碼讀到系統RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具備很高的成本效益。
 
Nand Flash
Nand Flash的結構能提供極高的單元密度，能夠達到高存儲密度，而且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較複雜。
 
非易失性存儲器–Nor Flash
Nor Flash根據數據傳輸的位數能夠分爲並行和串行，並行Nor Flash每次傳輸多個bit位的數據;而串行Nor Flash每次傳輸一個bit位的數據。並行Nor Flash比串行Nor Flash具備更快的傳輸速度。
 
串行Nor Flash
主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。
 
並行Nor Flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可選的數據傳輸方式。
 
非易失性存儲器-Nor Flash特色
特色:Nor Flash是非易失存儲,通常用於程序代碼存儲
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分普遍。
並行:MCU需帶外部總線,速度快,內部無FLASH等
用在AMR九、ARM十一、A七、A八、A9等高端平臺上
 
非易失性存儲器-Nand Flash特色
特色:容量大，寫速度快等優勢適用於大數據的存儲
主推容量512Mb-8Gb
並行:MUC帶外部存儲控制器、數據量大、速度快
用在AMR九、ARM十一、A七、A八、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操做系統
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小
目前只有GD(北京兆易）在生產相關的產品但咱們不推該產品線的存儲

Flash的應用

 
Nor Flash與Nand Flash的區別
NOR
1.讀速度快，寫速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數約10萬次
4.容量小256Kb-512Mb
5.單位容量價格高，適用於小容量程序存儲
6.不易產生壞塊
NAND
1.讀速度慢，寫速度快
⒉擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次數約100萬次
4.容量大512Mb-8Gb
5.單位容量價格低，適用於大容量數據存儲
6.較易產生壞塊，需ECC校驗儲器芯片，致力於爲客戶提供具備競爭優點的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。