易失性存儲DRAM詳解

DRAM是一種半導體存儲器，主要的做用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來表明一個二進制bit是1仍是0。與SRAM相比的DRAM的優點在於結構簡單,每個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit一般須要六個晶體管。所以DRAM擁有很是高的密度，單位體積的容量較高所以成本較低。
 
DRAM存儲原理
DRAM的每一位存儲單元採用一個晶體管和小電容來實現。若寫入位爲「1」，則電容被充電:若寫入位爲「0」，則電容不被充電。讀出時用晶體管來讀與之相連的電容的電荷狀態。若電容被充電，則該位爲「1」;若電容沒有被充電，則該位爲「O」。

 
因爲電容存在漏電阻，所以每一個位單元都必須不斷地、週期性地對進行充電，以維持原來的數據不丟失，此行爲稱之爲刷新。
 
DRAM特色
因爲每一個存儲位僅用一個晶體管和小電容，所以集成度比較高。就單個芯片的存儲容量而言，DRAM能夠遠遠超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價格也大大低於SRAM。這兩個優勢使DRAM成爲計算機內存的主要角色。DRAM的行列地址分時複用控制和須要刷新控制，使得它比SRAM的接口要複雜一些。DRAM的存取速度通常比SRAM要慢。
 
DRAM推薦型號

 
SRAM與DRAM的區別
SRAM
1.速度快
2.不須要刷新可保持數據
3.無需MCU帶特殊接口
4.容量小，256Kb-16Mb
5.集成度低，單位容量價格高
6.靜態功耗低，運行功耗大
 
DRAM
1.速度較慢
2.須要刷新來保持數據
3.須要MCU帶外部存儲控制器
4.容量大，16Mb-4Gb
5.集成度高，單位容量價格低
6.運行功耗低