32Mb高速低功耗異步SRAM

ISSI生產的32Mb高速低功耗異步SRAM，這種創新的設計增強了ISSI對具備最高質量和性能的SRAM的長期承諾。32Mb SRAM在汽車A3溫度範圍（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的訪問時間。

ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位靜態RAM，組織爲2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。

這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。

當CS＃爲高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，能夠經過CMOS輸入電平下降功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕鬆擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節容許訪問高字節（UB＃）和低字節（LB＃）。

該器件採用JEDEC標準的48引腳TSOP（TYPE I）和48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝，應用範圍在汽車/工業/醫療/電信/網絡等。

SRAM存儲器是隨機存取存儲器之一。每一個字節或字都有一個地址，能夠隨機訪問。 SRAM支持三種不一樣的模式。每一個功能在下面的「真值表」中進行了描述。

待機模式
取消選擇時，設備進入待機模式（CS＃高）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處於高阻抗狀態。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節省功率。

寫模式
選擇芯片（CS＃）且寫使能（WE＃）輸入爲LOW時發生寫操做問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處於數據輸入模式。即便OE＃爲LOW，在此期間輸出緩衝區也會關閉。 UB＃和LB＃啓用字節寫入功能。經過將LB＃設爲低電平，未來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據寫入地址引腳上指定的位置。且UB＃爲低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數據被寫入該位置。

讀取模式
選擇芯片時（CS＃爲低電平），寫使能（WE＃）輸入爲高電平時，讀操做出現問題。當OE＃爲LOW時，輸出緩衝器打開以進行數據輸出。不容許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。 UB＃和LB＃啓用字節讀取功能。經過啓用LB＃LOW，來自內存的數據出如今I / O0-7上。且UB＃爲低電平時，來自內存的數據出如今I / O8-15上。

在讀取模式下，能夠經過將OE＃拉高來關閉輸出緩衝器。在此模式下，內部設備做爲READ操做，但I / O處於高阻抗狀態。因爲器件處於讀取模式，所以使用有功電流。

上電初始化 該器件包括用於啓動上電初始化過程的片上電壓傳感器。 當VDD達到穩定水平時，器件須要150us的tPU（上電時間）來完成其自初始化過程。 初始化完成後，設備便可正常運行。