高性能異步SRAM技術角度

當前有兩個不一樣系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術角度看來，這種權衡是合理的。在低功耗SRAM中，經過採用特殊柵誘導漏極泄漏(GIDL)控制技術控制待機電流來控制待機功耗。這些技術須要在上拉或下拉路徑中添加額外的晶體管，所以會加重存取延遲，並且在此過程當中會延長存取時間。在快速SRAM中，存取時間佔首要地位，所以不能使用這些技術。此外要減小傳播延遲，須要增大芯片尺寸。芯片尺寸增大會增大漏電流，從而增長總體待機功耗。
 
微控制器好久之前就有了深度睡眠工做模式。這種工做模式有助於爲大部分時間都處於待機狀態下的應用省電。該控制器可在正常工做中全速運行，但過後則進入低功耗模式，以便節省電源。使所鏈接的SRAM也具備相似的工做模式很重要。具備深度睡眠工做模式[5]的異步快速SRAM是這類應用的理想選擇。這種SRAM芯片有一個附加輸入引腳，有助於用戶在不一樣的工做模式(正常、待機和深度睡眠)間切換。所以可在不影響性能的狀況下管理低功耗。
 
到目前位置的典型SRAM應用接受這種權衡：電池供電應用使用低功耗SRAM(下降性能)，有線工業高性能應用則使用快速SRAM。不過對於物聯網及其它衆多高級應用來講，這種權衡再也不適用。主要緣由是對於大部分這些應用而言，不只高性能很重要，同時還必須限制待機功耗，由於這些應用大多采用電池供電工做。很是幸運的是，SRAM正在縮小這兩個系列之間的性能差距，正逐漸發展成具備這兩種優點的單芯片產品。我司英尚微VTI代理商,提供VTI SRAM芯片.

VTI快速異步SRAM部分型號

Density	Org.	Part Name	Temp.	Vcc(V)	Speed	Package	Packing
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532LF08LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	4M x 8	VTI532NF08LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16TM	Industrial	1.8	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532LF16LM	Industrial	1.8	8/10	48BGA	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16TM	Industrial	3.3	8/10	48TSOP1	Tray
32Mbit	2M x 16	VTI532NF16LM	Industrial	3.3	8/10	48BGA	Tray