低功耗1M字乘8位高速異步SRAM
ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速異步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL採用ISSI的高性能CMOS技術製造，這種高度可靠的工藝技術與創新的電路設計技術相結合，可生產出性能更高且功耗更低的器件。當CE爲高電平（取消選擇）時，器件採用待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平來降低功耗。 IS61/64WV10248EDBLL採用單電
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