MRAM工做原理技術

RAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。非易失性MRAM具備成爲通用存儲器的潛力，可以將存儲存儲器的密度與SRAM存儲器的速度結合在一塊兒並同時始終保持非易失性和高能效。MRAM存儲芯片能夠抵抗高輻射及能夠在極端溫度條件下運行而且能夠防篡改。
 
MRAM芯片中的數據是由磁存儲元件存儲。這些元素是由兩塊鐵磁板組成的，兩塊鐵磁板之間隔着一層薄薄的絕緣層，每一塊鐵磁板都能保持磁化。這種結構被稱爲磁隧道結(MTJ)。兩塊極板中的一塊是在製造期間被設置爲特定極性的永磁體;另外一塊板的磁化率能夠隨存儲的數據進行改變。瑞薩電子最近增長了MRAM器件，該器件使用了一種基於垂直磁隧道結(p-MTJ)的專有自旋轉移扭矩MRAM (STT-MRAM)。p-MTJ包括固定且不可改變的磁層、電介質阻擋層和可改變的鐵磁存儲層。

 
在編程操做中，根據p-MTJ元素的電流方向，存儲層的磁場方向從平行狀態(低電阻狀態「0」)電切換到反平行狀態(高電阻狀態「1。這兩種不一樣的電阻狀態用於數據存儲和感測。