20155321 《信息安全系統設計》課堂測試（ch06）

20155321 《信息安全系統設計》課堂測試（ch06）

1. (單選題|1分)下面代碼中，對數組x填充後，採用直接映射高速緩存，全部對x和y引用的命中率爲（）
   
   A .1 B .1/4 C .1/2 D. 3/4

• 解析：P431，填充消除了衝突不命中，所以，四分之三的引用是命中的
• 正確答案：D

1. (多選題|1分)有關高速緩存的說法正確的是（）

   A .高速緩存的容量能夠用C=SEB來計算

   B .高速緩存容量爲2048，高速緩存結構爲（32，8，8，32）

   C .直接映射高速緩存要：組選擇、行匹配、字抽取

   D .當程序訪問大小爲2的冪的數組時，直接映射高帶緩存中常發生衝突不命中

• 解析：對於B選項，高速緩存容量爲2048，高速緩存結構爲（（ 32 ），8，8，32）
• 正確答案：ACD

1. The following table gives the parameters for a number of different caches. For
   each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
   

   A .第三行S爲1 B .第一行t爲24

   C .第二行b爲5 D .第三行s的值爲0

• 解析：
  

• 正確答案：ACD（？）

1. (多選題|1分)有關緩存的說法，正確的是（）

A .LRU策略指的是替換策略的緩存會選擇最後被訪問時間距如今最遠的塊

B .不一樣層之間以字節爲傳送單元來回複製

C .緩存不命時，決定哪一個塊是犧牲塊由替換策略來控制

D .空緩存的不命中叫衝突不命中

• 解析：P422-P423。對於B選項，不一樣層之間不是以字節爲傳送單元來回複製，而是以塊爲大小傳輸單元在層與層之間複製。對於D選項，空緩存的不命中叫強制性不命中或冷不命中
• 正確答案:AC

1. (多選題|1分)下面說法正確的是（）
   
   A.存儲層次結構中最小的緩存是寄存器

   B.存儲層次結構的中心思想是每一層都緩存來自較低一層的數據對象

   C.L4主存能夠看做是L5：本地磁盤的緩存

   D.L4主存能夠看做是L6的緩存

• 解析：P421。對於D選項，由於在存儲層次結構中，每一層都緩存來自較低一層的數據，所以L4主存能夠看做是L5的緩存，而不是L6，L5能夠看做是L6的緩存。
• 正確答案:ABC

1. (單選題|1分)下面代碼的步長是（）
   
   A.1 B.N C. NN D. NN*N

• 解析：P418。由於sum += a[k][i][j]並非按順序選取元素，k被放在了第一個位置，所以會增長步長至N*N
• 正確答案:C

1. 下面代碼中（）局部性最差

A.

1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

B.

1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 }

C .

1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

D.不肯定

• 解析：P418。函數clear1以步長爲1訪問數組，clear2雖然是依次掃描N個數據，可是步長不是以1的模式，所以clear2的局部性比clear1要差，對於clear3，clear3不只在結構中跳來跳去，並且還從結構跳到結構，所以空間局部性中它是最差的。
• 正確答案:C

1. (單選題|1分)程序中（）語句具備良好的局部性

   A.順序 B.分支 C.循環 D.以上都是
   

• 解析：P419。for循環體裏的指令是按照連續的內存順序執行的，所以循環具備良好的空間局部性。由於循環體會被執行不少次，因此它也有很好的時間局部性。
• 正確答案:C

1. (單選題|1分)下面代碼，（）具備差的空間局部性。

A.

1 int sumvec(int v[N])
2 {
3 int i, sum = 0;
4 
5 for (i = 0; i < N; i++)
6 sum += v[i];
7 return sum;
8 }

B.

1 int sumarrayrows(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (i = 0; i < M; i++)
6 for (j = 0; j < N; j++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }

C.

1 int sumarraycols(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (j = 0; j < N; j++)
6 for (i = 0; i < M; i++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }

D. 以上都不對

• 解析：P418。對於函數sumarraycols()，由於它是按照列的順序來掃描數組，而不是按照行的順序，所以它是使用步長爲N的引用模式來掃描
• 正確答案：C

1. (多選題|1分)有關局部性原理，說法正確的是（）

   A.程序訪問一個向量，步長越小或短，空間局部性越好

   B.局部性有兩種形式：空間局部性，時間局部性

   C.程序訪問一個向量，步長越大空間局部性越好。

   D.硬件、OS，應用程序都會用到局部性原理
   

• 解析：P418。對於C選項，程序訪問一個向量，步長越小空間局部性越好。
• 正確答案：ABD

1. (多選題|1分)下面說法正確的是（）

A.CPU經過內存映射I/O向I/O設備發命令

B.DMA傳送不須要CPU的干涉

C.SSD是一種基於閃存或Flash的存儲技術

D.邏輯磁盤塊的邏輯塊號能夠翻譯成一個（盤面，磁道，扇區 ）三元組。

• 解析：P4十一、P413
• 正確答案：ABCD

1. (單選題|1分)下面（）是I/O總線

   A.USB B.PCI C.網卡 D.圖形卡

• 解析：P411
• 正確答案：B

1. (多選題|1分)有關磁盤操做，說法正確的是（）

   A.對磁盤扇區的訪問時間包括三個部分中，傳送時間最小。

   B.磁盤以字節爲單位讀寫數據

   C.磁盤以扇區爲單位讀寫數據

   D.讀寫頭總處於同一柱面

• 解析：P409。對於B、C選項，磁盤以扇區大小的塊來讀寫數據。但對於D選項，書本P409磁盤操做的第一段最後一句寫道：在任什麼時候刻，全部的讀/寫頭都位於同一個柱面上。因此D選項爲何不對呢？
• 正確答案：AC（？）

1. (單選題|1分)計算下面磁盤的容量（）：4個盤片，100000個柱面，每條磁道400個扇區，每一個扇區512個字節

   A.81.92GB B.40.96GB

   C.163.84 D.327.68GB

• 解析：P408。由於磁盤容量=柱面數 * 磁盤面數 * 扇區數 * 字節數=4x2x100000x400x512=163.84GB
• 正確答案：C

1. (多選題|1分)有關磁盤，說法正確的是（）
   A.磁盤的讀取時間爲毫秒級

   B.每張磁盤有一個表面

   C.表面由磁道組成

   D.每一個扇區的面積不一樣，包含的數據位的數量也不同

• 解析：P406。對於B選項，每張磁盤有多個表面。對於D選項，每一個扇區所包含的數據位的數量是同樣的。
• 正確答案:AC

1. (多選題|1分)根據攜帶信號不一樣，總線可分爲（）

   A.系統總線 B.數據總線

   C.內存總線 D.地址總線

   E.控制總線

• 解析：P405。總線分爲數據總線、地址總線、控制總線
• 正確答案:BDE

1. (多選題|1分)關於非易失性存儲器，下面說法正確的是（）

   A.DRAM是非易失性存儲器

   B.SRAM是非易失性存儲器

   C.PROM只能編程一次

   D.EEPROM能夠用紫外線進行擦除

   E.存在ROM中的程序一般被稱爲固件

• 解析：P404
• 正確答案:CE。對於A、B選項，DRAM、SRAM是易失的。對於D選項，EPROM能夠用紫外線進行擦除，而不是EEPROM。
  B.SRAM是非易失性存儲器

1. (單選題|1分)經過使用兩個時鐘沿做爲控制信號，對DRAM進行加強的是（）

   A.FPM DAM B.SDRAM

   C.DDR SDRAM D.VRAM

   E.EDO DRAM

• 解析：P403。DDR SDRAM是對SDRAM的一種加強，它經過使用兩個時鐘沿做爲控制信號，從而使DRAM的速度翻倍。
• 正確答案:C

1. (多選題|1分)有關RAM的說法，正確的是（）
   A.SRAM和DRAM掉電後均沒法保存裏面的內容。

   B.DRAM將一個bit存在一個雙穩態的存儲單元中

   C.通常來講，SRAM比DRAM快

   D.SRAM經常使用來做高速緩存

   E.DRAM將每個bit存儲爲對一個電容充電

   F. RAM須要不斷刷新

   G.DRAM被組織爲二維數組而不是線性數組

• 解析：P400
• 正確答案:ADEG

1. (多選題|1分)有關計算機存儲系統，下面說法正確的是（）

   A.程序具備良好的局部性表如今傾向於從存儲器層次結構中的較低層次處訪問數據，這樣節省時間

   B.存儲層次涉用不一樣容量，成本，訪問時間的存儲設備

   C.存儲層次設計基於局部性原理

   D.「存儲山」是時間局部性和空間局部性的函數

• 解析：P399。對於A選項，程序具備良好的局部性表如今傾向於從存儲器層次結構中的較高層次處訪問數據。層次越低，訪問速度越慢。
• 正確答案:BCD