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NAND Flash 芯片測試
時間 2020-12-26
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DFT : Design For Testability TTR :Test Time Reduction KGD: Known Good Die NAND Flash 芯片測試主要是爲了篩選(Screen Out)出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。 測試流程(Test Flow) 從wafer level,到single component level、module level,定義各項測
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