SRAM芯片測試

完成SRAM芯片的測試，須要設計測試電路板。測試電路板主要提供測試接口和電源。芯片的控制信號和數據信號由紅色颶風II-Xilinx FPGA 開發板提供，使用ISE13.2 軟件創建測試工程，編寫Verilog 測試程序（主要包括按照時序提供分頻後的測試時鐘、數據信號和控制信號），經過JTAG 下載到FPGA 的PROM 中，從新上電進行測試，經過RIGOL DS1102CA 雙通道示波器捕捉信號。
 
將示波器的通道1鏈接到寫使能信號，通道2鏈接到數據端D7。如圖1 所示，上方的波形爲通道1接收的數據，下而的波形爲通道2接收的數據。設計輸入向量測試，當地址爲OOO時，將片選端CS置爲低電平，圖1 中，A區WT=*0」，RD=「1「，RD= 「0」，讀出寫入數據 爲「0」; B區WT=「1」，數據爲「0」; C 區WT=「0」，RD=「1」，寫入數據爲「1」D 區WT-「1」，RD-「1」，爲了更好地觀察讀出「1」時端口的電平變化，該段不進行讀寫，在輸出端口上加弱的低電平信號; E區WT=「1」，RD=「0」，讀出數據爲「1」，可明顯地看到讀出數據「1」的過程。從圖中能夠看到數據「0」和「1」被成功地寫入和讀出。

 
爲驗證明際的芯片是否能夠達到設計指標，參考仿真方法，輸入測試向量，以D7爲例，寫入10100011後讀出SRAM 中的數據，波形如圖2 所示。遍歷OOO到111全部地址，寫入並讀出數據，驗證每一個數據端是否可以正常工做，結果顯示每一個數據端口功能正確。

 

存取時間也是SRAM的一個重要參數，它能夠表示存儲器的工做速度。測量獲得，存取時間=299.4ns-293.2測量存取時間時，不一樣的數據端口會有ns=6.2ns。較小差異，這與實際芯片製造和不可避免的測量偏差均有關。
 
測試可知：當電源電壓爲3.3MHZ。工做時，測得電做正常，工做頻率可達20源上的最大電流約爲1.8545由此可得功耗絲mA，爲6.11985mW。