MRAM與經常使用計算機內存的性能比較

新千年信息怎樣儲存?又須要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現像的發現及隨後幾年巨磁阻材料的開發,直至巨磁阻磁頭GMR的製成與應用都爲MRAM存儲器研究開發奠基了基礎。

1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求以下:

技術指標:
具備sram芯片的隨機存取速率;
具備DRAM芯片的大容量存儲密度;
具備EEPROM芯片存入數據的非易失性。

產品目標:
取代計算機的DRAM內存，
取代手機的EEPROM閃存。

表1列出MRAM芯片與目前經常使用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。

表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較

由上述表中的四種內存只有MRAM能同時知足計算機內存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數據存儲密度高以及耗電功率低等。所以美、日、歐等發達國家都很重視這項新技術,投巨資加速MRAM產品的商業化。