非易失性存儲器MRAM與FRAM的比較

「永久性存儲器」通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都具有相似的性能優勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們以不同的方式實現這些目標，儘管在每種情況下，創新的材料技術都是性能突破的背後。由摩托羅拉和IBM率先開發的MRAM，通過將某些奇異材料暴露在磁場中而產生的數據位，隨着存儲單元中電阻變化而存儲。FRAM由總部位於

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