Bandgap Reference with inaccuracy of +0.64% in 16nm FinFET文章解讀
接下來會參與到14nmFinFET電路設計；由於之前從事過14nmFinFET器件模型的工作，14nm對我來說不算是新工藝，不同的是，現在需要從電路設計者來考量問題。 該章節介紹了Sub-1v BandGap電路在16nmFinFET工藝實現的新方案。爲了減少芯片面積，採用了40級Stack-Gate方式，並提出一種新的無面積損失的版圖方式來實現該電路設計。本文
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