SRAM存儲單元讀操做分析

一個典型的SRAM基本結構中，每一個存儲單元都經過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲單元有電學鏈接關係。水平方向的連線把全部的存儲單元連成一行構成字線，而垂直方向的連線是數據輸入和數據輸出存儲單元的通路，稱爲位線。每個存儲單元都能經過選擇適當的字線和位線被惟一地定位。宇芯有限公司介紹關於SRAM存儲器的讀操做分析。

圖1 六管單元的讀出操做

SRAM存儲單元讀操做分析

存儲單元的讀操做是指被尋址的存儲單元將它存儲的數據送到相應位線上的操做。圖3.5 表示的是進行讀操做的一個SRAM單元，兩條位線開始都是浮空爲高電平。假設當前單元中存儲的值爲邏輯「1」，即節點A爲高電平，節點B爲低電平。

讀操做開始前，位線BIT和BIT被預充電，預充電平的典型值是電源電壓。讀操做過程當中字線ROW被驅動到高電平，打開傳輸管N3 和N4。因爲節點A爲高電平，節點B爲低電平，位線BIT就會通過N4 和N2 放電，電平逐漸下降；此時，因爲N3管源漏電壓近似相等，所以只有很小的電流流過，位線BIT會繼續保持高電平狀態。

隨着BIT的放電，BIT和BIT之間的差分電壓逐漸增大；差分電壓增大到必定程度後，靈敏放大器將放大並輸出差分電壓。但操做有兩點須要咱們注意：當字線電平升高以後，N4 和N2 的分壓做用將使節點B的電平升高，極可能使得N1 導通，從而對節電A放電。若是泄放掉的電荷較少（VGS≥Vth，若泄放電的電荷較多，有可能使得N3 管截止），可能致使N3 打開，位線BIT會放電，增長差分電壓的創建時間；若是泄放電的電荷較多，那麼P2 就可能成爲導通狀態，進一步擡高B點的電平，從而使得存儲數據從「1」翻轉爲「0」，即發生所謂的「讀翻轉」。