靜態存儲SRAM設計

SRAM即靜態隨機存取存儲器。它是具備靜止存取功能的內存，不須要刷新電路便能保存它內部存儲的數據。在工業與科學用的不少子系統，汽車電子等等都用到了SRAM。現代設備中不少都嵌入了幾千字節的SRAM。實際上幾乎全部實現了電子用戶界面的現代設備均可能用上了SRAM，如數碼相機、手機、音響合成器等每每用了幾兆字節的SRAM。 實時信號處理電路每每使用雙口的SRAM。下面介紹一下關於靜態存儲SRAM芯片的設計

 

一個SRAM基本單元有0和1兩個電平穩定狀態。

 

SRAM基本單元主要由兩個CMOS反相器組成。兩個反相器的輸入、輸出交叉鏈接，即第一個反相器的輸出鏈接第二個反相器的輸入，第二個反相器的輸出鏈接第一個反相器的輸入。這實現了兩個反相器的輸出狀態的鎖定、保存，即存儲了1個位元的狀態。

 

除了6管的SRAM，其餘SRAM還有8管、10管甚至每一個位元使用更多的晶體管的實現。 這可用於實現多端口（port）的讀寫訪問，如顯存或者寄存器堆的多口SRAM電路的實現。

 

通常說來每一個基本單元用的晶體管數量越少，其佔用面積就越小。因爲硅芯片的生產成本是相對固定的，所以SRAM基本單元的面積越小，在硅芯片上就能夠製造更多的位元存儲，每位元存儲的成本就越低。

 

內存基本單元使用少於6個晶體管是可能的— 如3管甚至單管，但單管存儲單元是DRAM，不是SRAM。

 

訪問SRAM時，字線加高電平，使得每一個基本單元的兩個控制開關用的晶體管M5與M6開通，把基本單元與位線連通。位線用於讀或寫基本單元的保存的狀態。雖然不是必須兩條取反的位線，可是這種取反的位線有助於改善噪聲容限。